Koska puolijohteiden kaistaväli on niin pieni, seostaminen pienillä määrillä epäpuhtauksia voi lisätä materiaalin johtavuutta dramaattisesti. Sen vuoksi doping antaa tutkijoille mahdollisuuden hyödyntää "dopanteiksi" kutsuttujen elementtijoukkojen ominaisuuksia moduloidakseen puolijohteen johtavuutta.
Miten doping parantaa puolijohteen johtavuutta?
Prosessia, jossa epäpuhtausatomit lisätään puhtaaseen puolijohteeseen tai sisäiseen puolijohteeseen, kutsutaan "dopingiksi". … Koska vapaiden elektronien määrä kasvaa lisäämällä epäpuhtautta, se auttaa edelleen johtamisessa. Tällaisella prosessilla seostus lisää puolijohteiden johtavuutta.
Mikä on dopingin tarkoitus?
Doping on tekniikka, jota käytetään vaihtelemaan puolijohteiden elektronien ja reikien määrää. Doping luo N-tyypin materiaalia, kun ryhmän IV puolijohdemateriaaleja seostetaan ryhmän V atomeilla. P-tyypin materiaalit syntyvät, kun ryhmän IV puolijohdemateriaaleja seostetaan ryhmän III atomeilla.
Mitä etua puolijohteen dopingista on?
Ratkaisevaa niiden toiminnalle on doping-niminen prosessi, jossa epäpuhtaudet kutotaan puolijohteeseen sen sähkönjohtavuuden parantamiseksi. Juuri tämä mahdollistaa aurinkokennojen ja LED-näyttöjen eri komponenttien toiminnan.
Mikä on korkean dopingin vaikutus?
Hyvinkorkeat dopingtasot a altopaketti, joka liittyy matalaenergisiin johtavuuskaistan elektroneihin, voi mennä päällekkäin useamman kuin yhden epäpuhtausatomin kanssa, mikä aiheuttaa alhaisempia sallittuja tiloja potentiaalisen energian pienentyessä.
