Yleinen lauseke alikynnyksen jyrkkyydestä alikynnyksen jyrkkyys Osakynnyksen jyrkkyys on MOSFETin virta-jännite-ominaisuuden ominaisuus. Alakynnysalueella nieluvirran käyttäytyminen – vaikka sitä ohjaa hilaliitin – on samanlainen kuin eteenpäin esijännitetyn diodin eksponentiaalisesti pienenevä virta. https://en.wikipedia.org › wiki › Subthreshold_slope
Kynnyksen k altevuus - Wikipedia
(swing) on S=(d(log10Ids)/dVgs)-1. Tai ota yllä olevasta käyrästä erittäin alhaisilla Vgs:illä Ids:n log-arvojen derivaatta suhteessa Vgs:iin ja käännä sitten saatu arvo.
Mitä tarkoitetaan kynnyksen alapuolella?
Kynnyksen heilahdus määritellään tarvittavaksi hilajännitteeksi . muuttaaksesi tyhjennysvirtaa yhden suuruusluokan, yhdellä . vuosikymmen. MOSFET:ssä kynnyksen alaheilahdus on rajoitettu. (kT/q) ln10 tai 60 mV/dec huoneenlämpötilassa, ja.
Mikä on alarajan kulmakerroin?
Kynnyksen jyrkkyys on a MOSFETin virta-jännite-ominaisuuden ominaisuus . … Dec (decade) vastaa 10-kertaista lisäystä nieluvirran ID. Laitteessa, jolle on ominaista jyrkkä kynnyksen alainen k altevuus, on nopeampi siirtyminen pois päältä (pieni virta) ja päällä (suuri virta) tilojen välillä.
Mitä merkitystä kynnyksen alapuolella tapahtuvalla swingillä on?
Kynnyksen heilahdus on tärkeä parametriheikon inversiojärjestelmän mallintaminen, erityisesti suuritehoisissa analogisissa sovelluksissa, kuvantamispiireissä ja pienjännitesovelluksissa.
Kuinka alakynnysvirta vaihtelee hilajännitteen mukaan?
Tämä vähennys tarkoittaa vähemmän hilajännitteen heilahtelua kynnyksen alapuolella laitteen sammuttamiseksi, ja koska kynnyksen alijohtavuus vaihtelee eksponentiaalisesti hilajännitteen mukaan (katso MOSFET: Katkaisutila), siitä tulee yhä merkittävämpi MOSFETien kutistuessakoossa.
